AMD, 2. Nesil 3D V-Cache Teknolojisini Detaylandırdı
AMD yerinde durmuyor, 3D V-Cache teknolojisi hızlı bir şekilde gelişmeye devam ediyor. İlk olarak Zen 3 mimarili Ryzen 7 5800X3D modelinde kullanılan teknolojinin performansa katkısı Ryzen 7000X3D serisi ile artık tamamen tasdiklendi.
Kırmızılılar, Ryzen 7000X3D serisi tarafından kullanılan yeni 3D V-Cache teknolojisiyle ilgili yeni ayrıntılar paylaştı. Ryzen 7000 serisine dahil olan 3D V-Cache, yonga kümelerinden biri için L3 önbellek kapasitesini 96 MB’a kadar genişletebiliyor.
Ryzen 7000 serisinde kullanılan ikinci nesil 3D V-Cache teknolojisi, 7nm Zen 3 CCD yerine 5nm Zen 4 CCD üzerine entegre ediliyor. İlk nesilde ek önbellek katmanı olarak L3 SRAM yongası (L3D) kullanılmıştı, şirket yeni nesilde yine aynı tasarıma bağlı kaldı.
İlk olarak AMD, 7nm SRAM kalıbını küçülttü. Önceki nesilde istiflenen yonga 41 mm² boyutundayken yeni nesilde 36 mm² boyutunda. Toplam transistör sayısı ~ 4,7 milyar ile aynı kalmış, bu da demek oluyor ki yeni nesilde transistör yoğunluğu daha fazla. Bunun nedeni, yonganın SRAM için özelleşmiş, yoğunluğu optimize edilmiş bir 7nm sürümünü kullanması. Ayrıca önbellekte bulunan tipik kontrol devresinden de yoksun; bu devre, gecikme yükünü azaltmaya da yardımcı olan temel kalıpta bulunuyor. Öte taraftan 5nm kalıp, basitleştirilmiş L3 SRAM yongasında bulunmayan veri yolları ve diğer yapı türleri ile birlikte çeşitli transistör türleri içeriyor.
CPU tasarımcısı, temel kalıptaki 5nm L3 önbelleğinin daha küçük boyutu nedeniyle (artan yoğunluk ve diğer faktörlerin bir sonucu olarak) güç TSV’lerini L3’ten L2 bölgesine genişletmek zorunda kaldı. Temel kalıp için AMD, eski 7nm temel yongaya kıyasla L3 önbelleğinde, veri yollarında ve kontrol mantığında 0,68x etkili alan ölçekleme elde etti.
| 2. Nesil 7nm 3D V-Cache Yongası | İlk Nesil 7nm 3D V-Cache Yongası | 5nm Zen 4 Core Complex Die (CCD) | 7nm Zen 3 Core Complex Die (CCD) | |
| Boyut | 36mm^2 | 41mm^2 | 66.3 mm^2 | 80.7mm^2 |
| Transistor Değeri | ~4.7 milyar | 4.7 milyar | 6.57 milyar | 4.15 milyar |
| MTr/mm^2 (Transistor Yoğunluğu) | ~130.6 milyon | ~114.6 milyon | ~99 milyon | ~51.4 milyon |
Sinyal TSV’leri temel kalıptaki L3 önbellek alanında kalıyor, ancak şirket yeni arabirim tasarımında genel devreleri azaltmak için birinci nesil tasarımdan öğrendiklerini uygulayarak L3 önbelleğindeki TSV alanını %50 küçülttü. AMD’nin uyguladığı tüm iyileştirmeler ve geçici çözümler, bant genişliğinde %25’e varan (2,5 TB/sn) bir artış sağladı. Ayrıca herhangi bir ölçüt verilmese de verimlilik de iyileşti.
